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- 型号： IPB022N04LGATMA1
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB022N04LGATMA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB022N04LGATMA1价格参考。InfineonIPB022N04LGATMA1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPB022N04LGATMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB022N04LGATMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPB022N04LGATMA1 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用OptiMOS™ 5技术，封装为PG-TO263-3（D²PAK），具有超低导通电阻（RDS(on)典型值仅2.2 mΩ @ VGS=10V）、高电流能力（ID达120 A）及优异的开关性能。 其主要应用场景包括： ✅ 服务器与通信电源：用于DC-DC降压转换器（如CPU/GPU供电的同步整流Buck电路）、VRM模块，凭借低RDS(on)和快速开关特性显著提升能效与功率密度； ✅ 工业电机驱动：适用于中小功率变频器、伺服驱动器中的逆变桥臂或制动单元，支持高频PWM控制并降低导通与开关损耗； ✅ 新能源系统：在光伏逆变器辅助电源、储能系统（ESS）的电池管理与DC/DC变换环节中，提供高可靠性与热稳定性； ✅ 车载电子（非汽车级认证，但常用于车载电源设计）：如车载DC-DC转换器、LED车灯驱动等对效率和散热要求较高的场景（注：该型号为工业级，非AEC-Q101认证，不可用于安全关键的主驱系统）。 该器件支持100%额定电流ID连续工作，具备强雪崩耐量、优化的体二极管反向恢复特性（减少EMI），并兼容标准栅极驱动电压（4.5–10 V），易于集成于高功率密度设计中。
产品参数
图文手册
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