图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： IPB021N06N3G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB021N06N3G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB021N06N3G价格参考。InfineonIPB021N06N3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPB021N06N3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB021N06N3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPB021N06N3G 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用PG-TDSON-8封装（即顶部散热型DFN 5×6 mm），具有超低导通电阻（RDS(on) ≈ 2.1 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 180 A）及优化的开关特性。其典型应用场景包括： - 汽车电子：广泛用于48V轻混动力系统（MHEV）中的DC-DC变换器、电机驱动（如电子助力转向EPS、水泵/油泵控制）、电池断开开关（BDU）及车载充电机（OBC）的同步整流与主开关；符合AEC-Q101车规认证，支持高温（Tj ≤ 175°C）与高可靠性要求。 - 工业电源：适用于服务器/通信电源的次级同步整流、高效率LLC谐振变换器、UPS逆变器输出级及工业电机驱动H桥的低边开关。 - 可再生能源：在光伏逆变器的MPPT升压级和储能系统（ESS）双向DC-DC转换器中承担高效能量传输任务。 该器件集成优化的体二极管，具备优异的反向恢复性能（Qrr低），可降低开关损耗与EMI；其顶部金属封装支持PCB顶部散热，提升热管理灵活性，特别适合空间受限且高功率密度的设计。
产品参数
图文手册
常见问题
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
IPB021N06N3G 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商