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Datasheet下载- 型号： IPB010N06N
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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IPB010N06N产品简介：
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产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 45A TO263-7 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPB010N06N_Rev2+0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc1601355341f17a485f |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPB010N06N |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 280µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 15000pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 208nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1 毫欧 @ 100A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-7 |
| 其它名称 | IPB010N06NATMA1 |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 45A （Ta）， 180A （Tc） |
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