Datasheet下载- 型号： IPA65R190E6
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPA65R190E6由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPA65R190E6价格参考。InfineonIPA65R190E6封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPA65R190E6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPA65R190E6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPA65R190E6 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的650V、190mΩ增强型CoolMOS™ C6系列高压功率MOSFET，采用TO-220封装。其典型应用场景聚焦于高效率、高功率密度的中高频开关电源系统： - 服务器与通信电源：用于AC-DC PFC（功率因数校正）电路（如图腾柱或交错式Boost PFC），凭借低导通电阻（Rds(on)）和优化的Qg/Qoss比值，显著降低开关与导通损耗，提升整机效率（>96%）及能效等级（如80 PLUS Titanium）。 - 工业电源与UPS：适用于高频LLC谐振变换器、相移全桥等拓扑的主开关管，支持70–300kHz开关频率，在宽负载范围内保持高效率与热稳定性。 - 光伏逆变器：在组串式逆变器的DC-DC升压级或辅助电源中，提供可靠耐压（650V）、强抗dv/dt能力及优异的体二极管反向恢复特性（soft recovery），提升系统可靠性与EMI性能。 - 家电与充电设备：用于高端变频空调、OBC（车载充电机）的PFC模块，满足高可靠性、长寿命及小型化设计需求。 该器件集成超结（SJ）技术，具备低栅极电荷、快速开关、低Eoss（输出电容能量）等优势，配合英飞凌驱动IC（如1EDN/1EDS系列）可进一步优化动态性能。需注意PCB布局、散热设计及驱动电压（推荐10–15V）以充分发挥其性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPA65R190E6_2_0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30433004641301300747ef313b6b |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPA65R190E6 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CoolMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 730µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1620pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 73nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 190 毫欧 @ 7.3A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO220 整包 |
| 其它名称 | IPA65R190E6XKSA1 |
| 功率-最大值 | 34W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20.2A （Tc） |
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