Datasheet下载- 型号： IPA60R600P6
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPA60R600P6由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPA60R600P6价格参考。InfineonIPA60R600P6封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPA60R600P6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPA60R600P6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPA60R600P6 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的600V、600mΩ增强型CoolMOS™ P6系列高压功率MOSFET，虽常被归类于“专用IC”相关选型目录中，但严格而言属于分立功率器件（而非IC），其设计面向高效率、高密度开关电源应用。典型应用场景包括： - 服务器与通信电源：用于LLC谐振变换器、有源钳位反激或PWM相移全桥等拓扑的初级侧开关，凭借低导通电阻（Rds(on)）和优化的Qg/Qoss，显著提升轻载至满载效率并降低温升； - 工业电源与UPS系统：在宽输入电压范围（如380–400V DC母线）下实现高可靠性连续工作，支持高频开关（达100–300 kHz），减小磁性元件体积； - 光伏逆变器辅助电源/DC-DC转换模块：作为主功率开关，满足高隔离等级与长期热稳定性要求； - 家电与LED驱动电源：适用于高能效认证（如80 PLUS Titanium/白金级）的适配器与内置电源，兼顾EMI性能与成本。 该器件采用TO-220FP封装，具备优异的dv/dt抗扰性与雪崩耐量，配合英飞凌驱动方案（如1EDN/1EDS系列栅极驱动IC）可进一步优化开关行为。需注意：实际设计中应配合合理PCB布局、驱动电阻及RC缓冲网络，以充分发挥其性能优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 4.9A TO220-FP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/DS_IPA60R600P6_2_0_Approved.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30433f2e70c5013f3862b5622681 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPA60R600P6 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CoolMOS™ P6 |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 200µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 557pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 600 毫欧 @ 2.4A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 其它名称 | IPA60R600P6XKSA1 |
| 功率-最大值 | 28W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.9A （Tc） |
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