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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IPA60R520CP
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPA60R520CP由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPA60R520CP价格参考。InfineonIPA60R520CP封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPA60R520CP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPA60R520CP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPA60R520CP 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的600V、520mΩ（典型值）增强型CoolMOS™ C7系列高压功率MOSFET，采用TO-220封装。其主要应用场景聚焦于高效率、高功率密度的中高功率开关电源系统： 1. 服务器与通信电源：广泛用于AC-DC一次侧开关管，适用于LLC谐振、准谐振（QR）及硬开关反激等拓扑，满足80 PLUS Titanium/Platinum能效要求； 2. 工业电源与UPS：在1–3kW级不间断电源、PLC电源模块中承担主开关功能，凭借低导通电阻（Rds(on)）和优化的Eoss（输出电容能量），显著降低开关损耗与温升； 3. 太阳能逆变器辅助电源：用于MPPT控制器或隔离驱动电路的高压DC-DC转换器，兼顾高可靠性与长期热稳定性； 4. 家电与工业电机驱动：适配变频空调、水泵、风机等PFC（功率因数校正）级电路，提升整机效率并减小散热器体积。 该器件具备超低栅极电荷（Qg≈39nC）、优异的dv/dt抗扰性及150°C结温能力，配合英飞凌成熟的驱动兼容性设计，可简化EMI滤波与热管理。需注意：实际应用中建议搭配合适栅极驱动器（如1EDN/1EDS系列）并优化PCB布局以发挥最佳性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 6.8A TO220-3MOSFET COOL MOS PWR TRANS MAX 650V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.8 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPA60R520CPCoolMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPA60R520CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043183a95550118792bfde80453 |
| 产品型号 | IPA60R520CP |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 30 W |
| Pd-功率耗散 | 30 W |
| Qg-GateCharge | 24 nC |
| Qg-栅极电荷 | 24 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 520 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 520 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 16 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 630pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 520 毫欧 @ 3.8A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO-220-FP |
| 其它名称 | IPA60R520CPXKSA1 |
| 典型关闭延迟时间 | 74 ns |
| 功率-最大值 | 30W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | CoolMOS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.8A （Tc） |
| 系列 | IPA60R520 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | IPA60R520CPXKSA1 SP000405856 |
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