【IPA60R199CP/规格参数】厂家_IPA60R199CP中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： IPA60R199CP
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

IPA60R199CP产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IPA60R199CP由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。提供IPA60R199CP价格参考以及InfineonIPA60R199CP封装/规格参数等产品信息。你可以下载IPA60R199CP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPA60R199CP详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3MOSFET COOL MOS PWR TRANS MAX 650V
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	16 A
Id-连续漏极电流	16 A
品牌	Infineon Technologies
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPA60R199CPCoolMOS™
数据手册	http://www.infineon.com/dgdl/IPA60R199CP_rev2.1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c720946ff
产品型号	IPA60R199CP
Pd-PowerDissipation	34 W
Pd-功率耗散	34 W
Qg-GateCharge	32 nC
Qg-栅极电荷	32 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	199 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	199 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	600 V
Vds-漏源极击穿电压	600 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	5 ns
下降时间	5 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3.5V @ 1.1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1520pF @ 100V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	43nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	199 毫欧 @ 9.9A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	PG-TO-220-FP
其它名称	IPA60R199CPXKSA1 SP000094146
典型关闭延迟时间	50 ns
功率-最大值	34W
包装	管件
商标	Infineon Technologies
商标名	CoolMOS
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3 整包
封装/箱体	TO-220FP-3
工厂包装数量	500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	500
漏源极电压(Vdss)	650V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	16A （Tc）
系列	IPA60R199
通道模式	Enhancement
配置	Single
零件号别名	IPA60R199CPXKSA1 SP000094146