【未分类_IP111N15N3G】封装/厂家_IP111N15N3G中文资料_价格

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型号： IP111N15N3G
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IP111N15N3G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IP111N15N3G价格参考。InfineonIP111N15N3G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IP111N15N3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IP111N15N3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IP111N15N3G 是英飞凌（Infineon）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用PG-TO263-3（D²PAK）封装，具有150V耐压、111A连续漏极电流（Tc=25°C）、极低导通电阻（RDS(on)典型值仅7.5mΩ @ VGS=10V），并具备优异的开关性能与热稳定性。

其主要应用场景包括：  
✅ 汽车电子：用于车载DC-DC转换器、电机驱动（如电子助力转向EPS、水泵/油泵控制）、LED车灯调光及电池管理系统（BMS）中的充放电保护开关；  
✅ 工业电源：高频开关电源（SMPS）、服务器/通信设备的同步整流、UPS逆变器输出级及工业电机控制中的H桥驱动；  
✅ 可再生能源：光伏逆变器的升压级和MPPT电路、储能系统（ESS）中的双向能量转换开关；  
✅ 消费类高可靠性设备：大功率快充适配器、电动工具驱动、无人机电调（ESC）等对效率、温升和瞬态响应要求严苛的场合。

该器件通过AEC-Q101认证（部分版本），具备雪崩耐量（UIS）和强抗dv/dt能力，适用于高可靠性、高效率、高功率密度的设计需求。需配合合理PCB布局、散热设计及栅极驱动（推荐12–15V驱动电压）以发挥最佳性能。

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