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产品简介:
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IDT71P74604S200BQG8是Integrated Device Technology(IDT)公司推出的一款高性能静态随机存取存储器(SRAM),属于高速同步突发写入SRAM产品系列。该器件主要面向对数据吞吐率和响应速度要求极高的应用场景。 典型应用包括通信基础设施设备,如路由器、交换机和基站系统,用于高速数据缓存和包处理;在网络设备中支持快速查找表、队列管理和实时数据缓冲。此外,它也广泛应用于测试与测量仪器、工业控制、军事和航空航天电子系统中,满足严苛环境下的可靠运行需求。 该型号工作频率高,访问速度达200MHz,采用先进的CMOS工艺,具备低功耗与高稳定性特点。其封装形式为BGA,适合高密度电路板设计,有助于提升系统集成度。由于其同步接口设计,能够与FPGA、ASIC等逻辑器件无缝对接,常用于需要确定性延迟和高带宽的数据路径应用中。 综上,IDT71P74604S200BQG8适用于高端网络、电信、军工及高性能计算等领域的关键存储模块,是构建实时、高效数据处理系统的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165CABGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IDT71P74604S200BQG8 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-CABGA(13x15) |
| 其它名称 | 71P74604S200BQG8 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 存储器类型 | SRAM - 同步,QDR II |
| 存储容量 | 18M(512K x 36) |
| 封装/外壳 | 165-TBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 200MHz |