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产品简介:
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IDT71P74604S200BQG是Integrated Device Technology(IDT)公司推出的一款高性能静态随机存取存储器(SRAM),属于高速同步突发写入SRAM类别。该器件主要应用于对数据吞吐率和响应速度要求极高的场景。 典型应用场景包括:通信基础设施中的网络交换机与路由器,用于高速缓存数据包处理;电信设备中的骨干网传输系统,支持快速读写以保障信号实时性;工业自动化控制系统中,用于高精度实时数据采集与处理;测试与测量仪器,如逻辑分析仪和高速示波器,依赖其低延迟特性提升运算效率;以及高端嵌入式系统中的缓冲存储单元。 该芯片工作频率高,支持200MHz时钟,具备3.3V供电、256引脚BGA封装,适合紧凑型高密度电路设计。凭借IDT在时序控制和信号完整性的技术优势,IDT71P74604S200BQG在多总线架构和并行处理环境中表现出优异的稳定性和可靠性,广泛服务于需要持续高速数据交换的关键领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165CABGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IDT71P74604S200BQG |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-CABGA(13x15) |
| 其它名称 | 71P74604S200BQG |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步,QDR II |
| 存储容量 | 18M(512K x 36) |
| 封装/外壳 | 165-TBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 200MHz |