Datasheet下载- 型号： IDT71016S20Y8
- 制造商： Integrated Device Technology
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IDT71016S20Y8由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IDT71016S20Y8价格参考。Integrated Device TechnologyIDT71016S20Y8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IDT71016S20Y8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IDT71016S20Y8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IDT71016S20Y8是IDT（Integrated Device Technology Inc.）公司推出的一款高速静态随机存取存储器（SRAM），属于异步SRAM类别，容量为1Mbit（64K x 16位），工作电压为5V，访问时间最快可达20纳秒。该器件采用CMOS工艺制造，具有低功耗和高可靠性的特点。 IDT71016S20Y8主要应用于对数据存取速度要求较高的工业与通信领域。常见应用场景包括：网络设备中的缓冲存储（如路由器、交换机）、电信基础设施（如基站控制单元）、工业自动化控制系统、测试测量仪器以及军事和航空航天电子系统。由于其稳定的性能和宽温工作能力，也适用于恶劣环境下的嵌入式系统。 此外，该型号封装为84引脚PLCC（塑料引线芯片载体），便于在高密度PCB设计中使用，适合需要长期供货和高可靠性的传统工业产品升级与维护。尽管当前部分新型系统转向更低电压或同步SRAM，但IDT71016S20Y8仍在许多遗留系统和特定工业设备中广泛使用。 综上，IDT71016S20Y8是一款高性能异步SRAM，适用于通信、工业控制、仪器仪表及高可靠性嵌入式系统等关键场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 1MBIT 20NS 44SOJ |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 数据手册 | http://www.idt.com/document/71016-data-sheet |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IDT71016S20Y8 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 44-SOJ |
| 其它名称 | 71016S20Y8 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 存储器类型 | SRAM - 异步 |
| 存储容量 | 1M （64K x 16） |
| 封装/外壳 | 44-BSOJ |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 500 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 速度 | 20ns |
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