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产品简介:
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IDT6116LA20SO是美国IDT(Integrated Device Technology)公司生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM),容量为2K x 8位,采用高速CMOS工艺制造,封装形式为28引脚SOIC。该器件广泛应用于对数据存取速度要求较高的场景。 主要应用场景包括: 1. 网络与通信设备:如路由器、交换机等,用于高速缓存数据,提高数据转发效率。 2. 工业控制与自动化系统:用于PLC、工业计算机等设备中,作为临时数据存储器,提高系统响应速度。 3. 测试与测量仪器:如示波器、逻辑分析仪等,用于快速存储和读取采样数据。 4. 嵌入式系统:用于需要高速存储的嵌入式控制器、数据采集系统中,作为主存或高速缓冲存储器。 5. 消费类电子产品:如打印机、扫描仪等外设中用于缓存图像或控制数据。 该SRAM具有高速访问时间(20ns)、低功耗、稳定性强等优点,适合需要频繁读写和快速响应的场景,是中低端存储应用中的常用器件。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC) |
描述 | IC SRAM 16KBIT 20NS 24SOIC |
产品分类 | 存储器 |
品牌 | IDT, Integrated Device Technology Inc |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IDT6116LA20SO |
PCN过时产品 | |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | 24-SOIC |
其它名称 | 6116LA20SO |
包装 | 管件 |
存储器类型 | SRAM - 异步 |
存储容量 | 16K (2K x 8) |
封装/外壳 | 24-SOIC(0.295",7.50mm 宽) |
工作温度 | 0°C ~ 70°C |
接口 | 并联 |
标准包装 | 310 |
格式-存储器 | RAM |
电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
速度 | 20ns |