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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IDT02S60C
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IDT02S60C由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IDT02S60C价格参考。InfineonIDT02S60C封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IDT02S60C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IDT02S60C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IDT02S60C 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的超快恢复平面结硅二极管，属于单管整流器，主要面向高频、高效率电源应用。其典型参数包括：600 V反向重复峰值电压（VRRM）、2 A平均正向整流电流（IF(AV)）、超低反向恢复时间（trr ≈ 25 ns）和低反向恢复电荷（Qrr ≈ 25 nC），具备软恢复特性，可显著降低开关噪声与EMI。 该器件广泛应用于中小功率AC-DC开关电源的输出整流（如辅助电源、待机电源）、DC-DC变换器（尤其是反激式、LLC谐振变换器的次级同步整流替代方案或初级钳位/续流路径）、PFC（功率因数校正）电路中的升压二极管（适用于中低功率段）、工业控制电源、LED驱动电源、适配器及USB PD充电器等场景。其快速软恢复特性有助于提升系统效率、减小散热需求，并简化EMI滤波设计。 需注意：IDT02S60C为非同步整流二极管（非MOSFET），不支持栅极驱动，适用于对成本、可靠性要求高且无需极低导通压降（如<0.5 V）的场合；若追求更高效率，可在同等封装下对比英飞凌的OptiMOS™同步整流方案。实际选型应结合工作频率、温升、浪涌电流及PCB布局综合评估。
| 参数 | 数值 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | 肖特基二极管与整流器 SiC Diode 600V 3A |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IDT02S60C_2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b43a0e9d6f32 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Infineon Technologies IDT02S60C |
| 产品型号 | IDT02S60C |
| 产品 | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/箱体 | TO-220 |
| 峰值反向电压 | 600 V |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 175 C |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 技术 | SiC |
| 最大反向漏泄电流 | 15 uA |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最大浪涌电流 | 11.5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 正向电压下降 | 2.4 V |
| 正向连续电流 | 3 A |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | IDT02S60CXK |
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