图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： IDB30E120
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IDB30E120由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IDB30E120价格参考。InfineonIDB30E120封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IDB30E120参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IDB30E120 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SWITCH 1.2KV 50A TO263-3二极管 - 通用，功率，开关 FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,二极管 - 通用，功率，开关,Infineon Technologies IDB30E120- |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IDB30E120_rev2_2G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b43712366746&fileId=db3a304412b407950112b43712b86747 |
| 产品型号 | IDB30E120 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 2.15V @ 30A |
| 不同 Vr、F时的电容 | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100µA @ 1200V |
| 二极管类型 | 标准 |
| 产品 | Switching Diodes |
| 产品种类 | 二极管 - 通用，功率，开关 |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
| 其它名称 | IDB30E120ATMA1 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 反向恢复时间(trr) | 243ns |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | TO-263-3-2 |
| 峰值反向电压 | 1200 V |
| 工作温度-结 | -55°C ~ 150°C |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 150 C |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 恢复时间 | 380 ns |
| 最大功率耗散 | 138 W |
| 最大反向漏泄电流 | 100 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大浪涌电流 | 102 A |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 正向电压下降 | 1.7 V |
| 正向连续电流 | 50 A |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 1200V（1.2kV） |
| 电流-平均整流(Io) | 50A（DC） |
| 系列 | IDB30E120 |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | IDB30E120ATMA1 SP000013641 |
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