【未分类_HZS36NB3TD-E】封装/厂家_HZS36NB3TD-E中文资料_价格

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型号： HZS36NB3TD-E
制造商： RNS
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HZS36NB3TD-E由RNS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HZS36NB3TD-E价格参考。RNSHZS36NB3TD-E封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HZS36NB3TD-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HZS36NB3TD-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HZS36NB3TD-E 是罗姆（ROHM）公司生产的齐纳二极管（Zener Diode），标称稳压值为36 V，功率约500 mW（SOD-323封装），具有低动态阻抗、高精度（±3%容差）和优良的温度稳定性。

其典型应用场景包括：  
1. 电压基准与稳压：在低压电源或辅助电源电路中，为ADC参考源、比较器阈值或MCU复位电路提供稳定36 V基准电压；  
2. 过压保护（OVP）钳位：与TVS或MOSFET配合，用于工业控制板、LED驱动器或通信接口（如RS-485收发器供电端）中限制瞬态过压，防止后级器件损坏；  
3. 反馈环路稳压：在离线式AC-DC适配器或DC-DC转换器的光耦反馈路径中，作为次级侧稳压检测元件，提升输出电压精度与负载调整率；  
4. 浪涌吸收与箝位：在继电器线圈、感性负载关断时吸收反向电动势，保护驱动晶体管（需配合限流电阻使用）；  
5. 电池管理系统（BMS）：用于高压电池组（如多串锂电）的单节电压监测或均衡电路中的参考/限幅环节（需注意耐压裕量）。

该器件采用无铅、符合AEC-Q200（车规级）标准的SOD-323封装，适用于汽车电子（如车身控制模块）、工业自动化及高可靠性消费类设备。使用时需确保功耗不超过额定值，并留有足够散热余量。

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