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- 型号： HZM6.8Z4MFATL-E
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HZM6.8Z4MFATL-E由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HZM6.8Z4MFATL-E价格参考。RENESAS ELECTRONICSHZM6.8Z4MFATL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HZM6.8Z4MFATL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HZM6.8Z4MFATL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HZM6.8Z4MFATL-E 是罗姆（ROHM）公司生产的TVS（瞬态电压抑制）二极管，标称击穿电压为6.8 V（典型值），采用小型SOD-523封装，具有低钳位电压、快速响应（皮秒级）和高ESD防护能力（符合IEC 61000-4-2 Level 4，±15 kV空气放电/±8 kV接触放电）。 其主要应用场景包括： - USB接口保护：用于Type-A/Type-C端口的VBUS或数据线（D+/D−）静电与浪涌防护； - 便携式电子设备电源输入端：如蓝牙耳机、TWS充电仓、智能手表等低压供电路径（3.3 V/5 V系统）的过压箝位； - 传感器信号线防护：在IoT设备中保护I²C、SPI等低速通信线路免受ESD及感应浪涌干扰； - DC-DC转换器输入/输出侧：配合LDO或PMIC，抑制开关噪声或热插拔引起的电压尖峰； - 汽车电子辅助电路：适用于车载信息娱乐系统中非CAN/LIN类低压子模块（如LED背光驱动、触摸按键）的ESD加固（满足AEC-Q200 Grade 2可靠性要求）。 该器件因超小尺寸、低漏电流（<0.1 µA @ 5.5 V）和高可靠性，特别适合空间受限、功耗敏感且需通过严苛EMC认证的消费类与工业级应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 3.5VWM MPAK5 |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HZM6.8Z4MFATL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | 4pF @ 1MHz |
| 供应商器件封装 | 5-MPAK |
| 其它名称 | HZM6.8Z4MFATL-EDKR |
| 功率-峰值脉冲 | - |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单向通道 | 4 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74A，SOT-753 |
| 工作温度 | - |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 6.47V |
| 电压-反向关态（典型值） | 3.5V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | - |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | - |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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