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  • 型号: HVC363BTRU-E
  • 制造商: RENESAS ELECTRONICS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供HVC363BTRU-E由RENESAS ELECTRONICS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HVC363BTRU-E价格参考。RENESAS ELECTRONICSHVC363BTRU-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HVC363BTRU-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HVC363BTRU-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HVC363BTRU-E 是瑞萨电子(Renesas Electronics America Inc.)推出的高性能硅基高压可变电容二极管(Varactor Diode),专为射频调谐应用设计。其典型应用场景包括:  

1. 无线通信前端调谐:用于智能手机、5G基站和Wi-Fi 6/6E模块中的天线调谐(Antenna Tuning)与阻抗匹配网络,动态补偿因握持、环境或频段切换导致的天线失配,提升辐射效率与吞吐量。  

2. 高Q值压控振荡器(VCO):凭借低串联电阻(Rs)、高Q值(>100 @ 2.4 GHz)及宽电容调谐范围(约2.5–12.5 pF,-2 V至-20 V),适用于高频(1–6 GHz)锁相环(PLL)和频率合成器中的VCO核心调谐元件,保障相位噪声性能。  

3. 可重构滤波器与双工器:在射频前端模块(FEM)中,配合开关与电感构成电压可调带通/陷波滤波器,支持多频段(如LTE/NR Sub-6 GHz)共存与干扰抑制。  

4. 汽车雷达与IoT设备:满足AEC-Q200可靠性要求(HVC363BTRU-E为车规级版本),适用于77 GHz ADAS雷达的本振调谐及智能表计、工业无线传感器中的低功耗RF频率校准。  

该器件采用超小型UDFN-4封装(0.8×0.8 mm),支持高密度PCB布局,并具备优异的温度稳定性与长期偏置可靠性,是高频、高精度、小尺寸射频系统中关键的动态调谐元件。
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