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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供HVC306A8TRU-E由RNS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HVC306A8TRU-E价格参考。RNSHVC306A8TRU-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HVC306A8TRU-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HVC306A8TRU-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HVC306A8TRU-E 是瑞萨电子(Renesas Electronics America Inc.)推出的高性能硅基变容二极管(Varactor Diode),专为高频、高Q值调谐应用优化。其典型应用场景包括: 1. 无线通信前端调谐:广泛用于4G/5G基站、小基站(Small Cell)、Wi-Fi 6/6E射频模块中的电压控制振荡器(VCO)、压控滤波器(VCF)及天线调谐电路,实现动态阻抗匹配与频段切换。 2. 相位阵列与波束成形系统:在毫米波(mmWave)和Sub-6 GHz有源天线单元中,配合T/R模块实现可编程相位/频率调谐,提升波束指向精度与能效。 3. 汽车雷达(如77–81 GHz ADAS):用于FMCW雷达的本地振荡器(LO)调谐回路,支持快速、低相噪频率扫描,满足AEC-Q200可靠性要求(该器件通过车规级认证)。 4. 测试测量设备:在矢量网络分析仪(VNA)、信号发生器等高端仪器中,作为宽带连续调谐元件,保障宽频带(典型调谐范围达1–3 GHz以上)和高线性度C-V特性。 该器件具备低串联电阻(Rs)、高Q值(>100 @ 2.4 GHz)、优异的温度稳定性及±5 V反向调谐电压范围,封装为超小型SC-79(SOD-523),适合高密度射频PCB布局。不适用于整流或功率开关场景。