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产品简介:
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ON Semiconductor 的 HUFA76639P3 是一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 TO-220AB 封装,具备低导通电阻(Rds(on) 典型值约 14.5 mΩ @ Vgs=10V)、高雪崩能量耐受能力及优良的热稳定性。其主要应用场景包括: - 开关电源(SMPS):广泛用于 AC-DC 适配器、PC 电源、服务器电源中的主开关管或同步整流管,提升效率与功率密度; - DC-DC 转换器:适用于降压(Buck)、升压(Boost)等拓扑中的功率开关,尤其适合中高电流(ID=75A)场合; - 电机驱动:用于工业/家电中的 BLDC 电机控制器、H 桥驱动电路,支持高频 PWM 控制与快速开关; - LED 驱动电源:作为恒流调光或隔离式 LED 驱动的主功率开关,满足高可靠性与长寿命要求; - 逆变器与 UPS 系统:在中小功率离网/后备电源中承担 DC-AC 逆变开关功能。 该器件具备 100V 耐压、逻辑电平兼容(Vgs(th) 2–4V),可直接由 MCU 或驱动 IC 驱动,且通过 AEC-Q101 认证(部分批次),亦适用于汽车电子辅助系统(如车载充电模块、风扇控制等)。其鲁棒设计(含雪崩额定)提升了系统抗过压与瞬态冲击能力,适用于对可靠性与能效要求较高的工业及消费类电源应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 50A TO-220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUFA76639P3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 86nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 26 毫欧 @ 51A,10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 180W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 400 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 51A (Tc) |