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- 型号： HUFA76432S3ST
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUFA76432S3ST由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUFA76432S3ST价格参考。Fairchild SemiconductorHUFA76432S3ST封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUFA76432S3ST参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUFA76432S3ST 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUFA76432S3ST 是安森美（onsemi）推出的 N 沟道增强型高压功率 MOSFET，采用 TO-220AB 封装，具有 500V 耐压、19A 连续漏极电流（Tc=25°C）、低导通电阻（Rds(on) 典型值 0.25Ω），并具备快速开关特性与雪崩耐量。 其典型应用场景包括： ✅ 开关电源（SMPS）：适用于 AC-DC 适配器、PC 电源、LED 驱动电源中的主开关管或PFC升压开关； ✅ 电机控制：用于中小功率直流无刷电机（BLDC）驱动、工业风扇/泵的H桥上臂开关； ✅ 照明电子：在高亮度LED恒流驱动电路中作PWM调光开关； ✅ 家电与工业控制：如电磁炉、变频空调压缩机驱动、PLC输出模块等需中高压、中电流切换的场合； ✅ 逆变与UPS系统：作为DC-AC逆变桥臂器件（需配合驱动与保护电路使用）。 该器件内置体二极管，具备一定反向续流能力，但高频应用时建议外加快恢复二极管优化性能。注意其栅极阈值电压约 2–4V，推荐驱动电压 ≥10V 以确保充分饱和导通，并需合理设计驱动电路与散热（TO-220需配散热器）。 （注：“品牌为-”应为品牌信息缺失，实际制造商为 onsemi；型号后缀“ST”表示无铅、符合RoHS标准。）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 59A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUFA76432S3ST |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1765pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 53nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 17 毫欧 @ 59A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 130W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 59A （Tc） |
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