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产品简介:
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ON Semiconductor 的 HUFA76419P3 是一款高压、高功率 N 沟道增强型 MOSFET,采用 TO-247 封装,具有 600 V 耐压、14 A(连续)/56 A(脉冲)电流能力及典型导通电阻 Rds(on) ≈ 0.28 Ω(Vgs = 10 V)。其主要应用场景包括: - 开关电源(SMPS):适用于 AC-DC 适配器、服务器/通信电源中的主开关管或 PFC(功率因数校正)升压开关,得益于高耐压与低导通损耗。 - 照明电子镇流器与LED驱动电源:用于高频半桥/全桥拓扑,驱动荧光灯或大功率LED,具备良好雪崩耐受能力,提升系统可靠性。 - 工业电机控制:在中小功率变频器、风扇/泵类电机驱动中用作逆变桥臂开关器件(尤其适合<2 kW应用)。 - 不间断电源(UPS)与太阳能逆变器:在DC-AC逆变级中承担高频开关任务,配合其快速开关特性(典型tₐ ≈ 35 ns)可提升效率。 - 电磁炉与感应加热设备:作为谐振逆变器中的主功率开关,支持硬开关或准谐振工作模式。 该器件内置快速恢复体二极管,具备良好的dv/dt抗扰性与雪崩能量额定值(EAS = 370 mJ),适合高可靠性、中等频率(数十kHz至百kHz级)的硬开关应用。注意需配合合理驱动(≥10 V栅极电压)与散热设计以发挥最佳性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 29A TO-220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUFA76419P3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 28nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 35 毫欧 @ 29A,10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 75W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 400 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 29A (Tc) |