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- 型号： HUFA76409D3S
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUFA76409D3S由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUFA76409D3S价格参考。Fairchild SemiconductorHUFA76409D3S封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUFA76409D3S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUFA76409D3S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor 的 HUFA76409D3S 是一款 N 沟道增强型高压功率 MOSFET（采用 TO-220AB 封装，带隔离散热片），主要面向高可靠性、中高功率开关应用。其典型参数包括：VDSS = 600 V，ID（连续）= 7.5 A，RDS(on) ≈ 0.8 Ω（典型值），具备快速开关特性和良好的雪崩耐量。 该器件常用于： ✅ 离线式开关电源（SMPS）：如 AC-DC 适配器、LED 驱动电源、工业电源中的主开关管； ✅ PFC（功率因数校正）电路：在升压型有源 PFC 级中作为高频开关器件，提升能效与电网兼容性； ✅ 电机控制：适用于小功率通用变频器、风机/水泵驱动等中压直流母线开关场景； ✅ 照明电子镇流器及 HID 灯驱动：满足高压启动与高频调光需求； ✅ 工业控制与家电：如电磁炉、微波炉的高压逆变模块，以及 UPS、电焊机辅助电源等。 其内置体二极管具备较优反向恢复特性，有助于降低开关损耗；TO-220AB 封装支持良好散热，适合自然冷却或小型散热器设计。需注意：实际应用中应合理设计栅极驱动（避免过冲/振荡）、提供足够散热余量，并配合 RC 吸收电路抑制电压尖峰，以确保长期稳定运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUFA76409D3S |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 485pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 63 毫欧 @ 18A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 49W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1,800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18A （Tc） |
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