Datasheet下载- 型号： HUFA75652G3
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUFA75652G3由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUFA75652G3价格参考。Fairchild SemiconductorHUFA75652G3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUFA75652G3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUFA75652G3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor 的 HUFA75652G3 是一款 N 沟道增强型高压功率 MOSFET，采用 TO-247 封装，具有 650 V 耐压、19 A（连续）/76 A（脉冲）电流能力及典型导通电阻 Rds(on) ≈ 0.22 Ω（Vgs = 10 V）。其高电压、中等电流与低开关损耗特性，使其适用于中高功率、高频开关场景。 典型应用场景包括： ✅ 工业电源：如开关电源（SMPS）、AC-DC 适配器、服务器/通信电源中的PFC（功率因数校正）升压电路和主功率开关； ✅ 电机驱动：中小功率变频器、BLDC（无刷直流）电机控制器中的逆变桥上桥臂开关； ✅ 照明电子：大功率 LED 驱动电源（尤其是隔离式反激或LLC谐振拓扑中的主开关管）； ✅ 家电与能源设备：空调压缩机驱动、光伏微型逆变器、储能系统中的 DC-DC 升压/隔离模块等。 该器件具备良好的雪崩耐受能力（UIS Rated），适合存在感性负载或电压尖峰的严苛工况；同时支持 10 V 栅极驱动，兼容主流 PWM 控制器。需注意合理设计驱动电路（避免米勒效应误导通）及散热（TO-247 封装需良好散热片），以保障长期可靠性。 （字数：298）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 75A TO-247 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUFA75652G3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7585pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 475nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8 毫欧 @ 75A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 功率-最大值 | 515W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 150 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Tc） |
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