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产品简介:
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HUFA75343P3 是 Fairchild Semiconductor(现属onsemi)推出的N沟道增强型高压功率MOSFET,采用TO-220AB封装,典型参数包括:VDSS = 100 V,ID(连续)= 68 A,RDS(on) ≈ 11.5 mΩ(VGS = 10 V),具备低导通损耗与良好开关性能。 其主要应用场景包括: ✅ 开关电源(SMPS):广泛用于AC-DC适配器、PC ATX电源、服务器电源的主开关管或同步整流; ✅ DC-DC转换器:在工业/通信设备中用作降压(Buck)或半桥拓扑中的高侧/低侧开关; ✅ 电机驱动:适用于中小功率直流无刷电机(BLDC)或步进电机的H桥驱动单元; ✅ 照明电子:LED驱动电源中作为PWM调光与恒流控制的功率开关; ✅ 逆变器与UPS系统:在低压输入(如12V/24V)离线式逆变模块中承担高频逆变功能。 该器件具有良好的雪崩耐量(UIS Rated)、低栅极电荷(Qg ≈ 60 nC),利于高频高效工作;TO-220封装便于散热与传统PCB布局,适合中等功率(数十瓦至数百瓦级)工业及消费类应用。需注意合理设计驱动电路与散热措施以保障长期可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | HUFA75343P3 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 205nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9 毫欧 @ 75A,10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 270W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 400 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Tc) |