Datasheet下载- 型号： HUFA75337S3ST
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUFA75337S3ST由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUFA75337S3ST价格参考。Fairchild SemiconductorHUFA75337S3ST封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUFA75337S3ST参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUFA75337S3ST 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor 的 HUFA75337S3ST 是一款 N 沟道增强型高压功率 MOSFET（采用 TO-220AB 封装，带隔离散热片），主要面向中高功率、高电压开关应用。其典型参数包括：VDSS = 500 V，ID（连续）= 6.5 A，RDS(on) ≈ 0.9 Ω（@ VGS = 10 V），具备快速开关特性和良好的雪崩耐量。 该器件常用于： ✅ 离线式开关电源（SMPS）：如 AC-DC 适配器、LED 驱动电源中的主开关管； ✅ 电子镇流器与荧光灯/LED 照明控制电路； ✅ 工业控制中的继电器替代/固态开关，如 PLC 输出模块、电机启停控制； ✅ 家电电源系统：空调、洗衣机等变频模块的辅助电源或 PFC 后级开关； ✅ DC-DC 转换器（如反激式、正激式拓扑） 中的高压侧开关。 其 TO-220AB 封装支持良好散热，适合中等功率（数十瓦级）且需可靠高压隔离的应用。需注意：设计时应确保栅极驱动电压充足（推荐 ≥10 V）、预留足够散热余量，并配合 RC 缓冲电路抑制电压尖峰。不适用于高频（>500 kHz）或大电流（>10 A）连续导通场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUFA75337S3ST |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1775pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 109nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14 毫欧 @ 75A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 175W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Tc） |
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