Datasheet下载- 型号： HUFA75309T3ST
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUFA75309T3ST由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUFA75309T3ST价格参考。Fairchild SemiconductorHUFA75309T3ST封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUFA75309T3ST参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUFA75309T3ST 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor 的 HUFA75309T3ST 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-220AB 封装，具有 100V 耐压、34A 连续漏极电流（Tc=25℃）、低导通电阻（Rds(on) 典型值 30mΩ @ Vgs=10V）及快速开关特性。其主要应用场景包括： - 开关电源（SMPS）：常用于 AC-DC 适配器、PC 电源、LED 驱动电源中的主开关管或同步整流管，兼顾效率与热稳定性。 - DC-DC 转换器：在工业/通信设备的降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）电路中作为功率开关，支持中高功率（数十瓦至百瓦级）应用。 - 电机控制：适用于小型直流无刷电机（BLDC）驱动、风扇/泵类负载的 H 桥或半桥驱动中的上/下臂开关。 - 负载开关与电源管理：在嵌入式系统或工控板卡中用作高侧/低侧电源通断控制，实现浪涌抑制和系统级电源保护。 - 逆变器与UPS模块：在小功率离线式逆变器中承担 DC-AC 功率转换任务。 该器件具备雪崩耐受能力（UIS rated），适合存在感性负载或电压尖峰的严苛环境；其TO-220封装便于散热设计，适用于对成本、可靠性与中等功率密度有要求的工业及消费类电子设备。注意实际应用中需配合合理驱动电路、栅极电阻及散热措施以确保稳定运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 3A SOT-223 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUFA75309T3ST |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 352pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 70 毫欧 @ 3A，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-223-3 |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A （Ta） |
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