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产品简介:
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HUF76633S3ST 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,常用于电源管理和功率转换应用。其主要应用场景包括: 1. 电源转换器:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器中,用于高效能开关操作。 2. 负载开关:控制电源通断,适用于笔记本电脑、服务器及工业控制系统中的电源管理模块。 3. 马达驱动:在小型电机或直流电机控制电路中作为功率开关使用。 4. 电池管理系统:用于电池充放电控制,提升能效与安全性。 5. 同步整流:在高效率电源中替代传统二极管进行整流,降低损耗。 该器件具有低导通电阻、高开关速度和耐高压特性,适合中高功率应用,常用于通信设备、消费电子及工业自动化领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 100V 38A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | HUF76633S3ST |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | UltraFET™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1820pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 67nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 35 毫欧 @ 39A,10V |
供应商器件封装 | D²PAK |
功率-最大值 | 145W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 39A (Tc) |