Datasheet下载- 型号： HUF76619D3S
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF76619D3S由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF76619D3S价格参考。Fairchild SemiconductorHUF76619D3S封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUF76619D3S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUF76619D3S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF76619D3S 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用DPAK（TO-252）封装，具备低导通电阻（Rds(on)典型值仅12.5 mΩ @ Vgs=10V）、高雪崩耐量及快速开关特性。其典型应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），尤其适用于工业电源、通信设备及服务器电源模块中，提升效率与热性能； - 电机驱动：适用于中小功率有刷直流电机或步进电机的H桥驱动电路中的功率开关元件； - 负载开关与电源管理：在嵌入式系统、工控板卡中用作高效、可控的电源通断开关，支持PWM调光/调速； - LED驱动电源：作为恒流拓扑中的主开关器件，满足高效率、低EMI要求； - 电池管理系统（BMS）：用于充放电回路保护开关或均衡电路中的功率控制。 该器件额定电压为60V，连续漏极电流达72A（Tc=25°C），具备100% UIS（非钳位感性开关）能力，适合中高压、中大电流的硬开关应用。需注意PCB布局散热设计及栅极驱动匹配（推荐10–15V驱动电压），以充分发挥其性能并确保长期可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 18A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUF76619D3S |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 767pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 85 毫欧 @ 18A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 75W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18A （Tc） |
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