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- 型号： HUF76423D3
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF76423D3由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF76423D3价格参考。Fairchild SemiconductorHUF76423D3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUF76423D3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUF76423D3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF76423D3 是安森美（ON Semiconductor）推出的 N 沟道增强型高压功率 MOSFET（单管），采用 TO-220AB 封装。其典型参数包括：VDS = 500 V，ID（连续）= 7.5 A，RDS(on) ≈ 0.6 Ω（VGS = 10 V），具备快速开关特性和内置续流二极管（体二极管）。 该器件主要应用于中高电压、中等电流的开关电源场景，如： ✅ 离线式AC-DC开关电源（如适配器、LED驱动电源中的主开关管或PFC升压开关）； ✅ 工业控制设备中的DC-DC转换模块（如隔离型反激/正激拓扑的初级侧开关）； ✅ 电机驱动电路（适用于小功率有刷直流电机或步进电机的H桥低端开关）； ✅ LED照明恒流驱动电路（作为PWM调光或恒流调节的功率开关）； ✅ 电磁阀、继电器等感性负载的驱动与保护电路（配合RC缓冲和TVS实现可靠关断）。 其高耐压（500 V）和良好雪崩耐量（UIS Rated）使其在市电整流后母线（约310–400 V DC）环境下具备较高可靠性；TO-220封装便于散热与手工焊接/维修，适合中小批量工业及消费类电源设计。需注意：使用时应确保栅极驱动电压稳定（推荐10–15 V）、避免米勒效应引起的误开通，并合理设计PCB布局与散热措施。 （字数：398）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 20A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUF76423D3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1060pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 34nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 32 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 85W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 1,800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Tc） |
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