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- 型号： HUF76419D3STR4921
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF76419D3STR4921由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF76419D3STR4921价格参考。Fairchild SemiconductorHUF76419D3STR4921封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUF76419D3STR4921参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUF76419D3STR4921 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF76419D3STR4921 是 Fairchild Semiconductor（现属安森美ON Semiconductor）推出的双N沟道增强型MOSFET阵列，采用SO-8封装。其典型参数包括：VDS = 60 V，ID（连续）≈ 12 A（单通道），RDS(on) ≈ 25 mΩ（@ VGS = 10 V），具备低导通电阻、快速开关特性及内置ESD保护。 该器件主要应用于中等功率、高效率的DC-DC电源转换场景，如： ✅ 同步降压（Buck）转换器中的高/低端开关管（双MOSFET可分别配置为上下管，提升能效）； ✅ 多相VRM（电压调节模块）用于CPU/GPU供电； ✅ 工业与通信设备中的热插拔（Hot-swap）控制电路与负载开关； ✅ 电池管理系统（BMS）中的充放电路径控制与反向电流保护； ✅ 电机驱动（如小功率直流无刷电机的半桥驱动）； ✅ LED驱动电源中的PWM调光开关级。 其SO-8双MOSFET集成结构节省PCB面积、简化布局、降低寄生电感，适合空间受限且对效率与可靠性要求较高的中高频（≤500 kHz）开关应用。需注意：实际使用时应确保栅极驱动电压充足（推荐10 V）、做好散热设计（SO-8需敷铜散热），并避免雪崩应力。 （注：型号后缀“TR4921”通常为安森美内部卷带编码，不影响电气功能。）
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