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  • 型号: HUF76122P3
  • 制造商: Harris
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供HUF76122P3由Harris设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF76122P3价格参考。HarrisHUF76122P3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HUF76122P3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HUF76122P3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HUF76122P3 是安森美(ON Semiconductor)推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET(单管),采用 TO-220AB 封装,具有低导通电阻(Rds(on) 典型值 0.022 Ω @ Vgs=10V)、高电流能力(ID=59 A)及优良的开关特性。其典型应用场景包括:

1. DC-DC 转换器:作为同步整流或主开关管,用于降压(Buck)转换器中,提升效率与功率密度;  
2. 电机驱动:适用于中小功率直流电机、步进电机的 H 桥驱动电路,提供快速开关与低损耗控制;  
3. 电源管理模块:在服务器/通信设备的热插拔(Hot-swap)、电子保险丝(eFuse)及负载开关中实现过流保护与软启动;  
4. LED 驱动电源:用于恒流调光电路或 LED 灯具的 PWM 调光开关;  
5. 工业控制与自动化设备:如 PLC 输出模块、继电器替代、电磁阀驱动等需高可靠性功率开关的场合。

该器件具备雪崩耐量(UIS rated)、100% Rg 测试及符合 RoHS 标准,适合中高功率、中频(<100 kHz)开关应用。注意需配合合理散热设计(如加装散热片)及栅极驱动优化(避免振荡与过压),以确保长期稳定运行。
产品参数 图文手册 常见问题
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