图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF75945P3由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF75945P3价格参考。Fairchild SemiconductorHUF75945P3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HUF75945P3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HUF75945P3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF75945P3 是 Fairchild Semiconductor(现属ON Semiconductor)推出的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220AB封装,具有75V耐压、75A连续漏极电流(Tc=25°C)、低导通电阻(Rds(on)典型值仅8.5mΩ @ Vgs=10V)及快速开关特性。 其主要应用场景包括: ✅ DC-DC电源转换:广泛用于中大功率开关电源(如服务器PSU、通信电源)、同步整流BUCK/BOOST电路,凭借低Rds(on)和高效率降低导通损耗; ✅ 电机驱动:适用于中小功率直流电机、步进电机或BLDC驱动的H桥/半桥功率级,支持高频PWM控制; ✅ 逆变器与UPS系统:在离线式不间断电源、光伏微逆变器等中承担主开关功能; ✅ 电池管理系统(BMS):用于电池保护电路中的充放电主控开关或均衡开关; ✅ 工业控制与电源模块:如可编程逻辑控制器(PLC)输出驱动、固态继电器(SSR)及智能功率模块(IPM)的分立器件选型。 该器件具备雪崩耐量(UIS rated),具备一定抗过压能力;但需注意其栅极阈值电压(Vgs(th)约2–4V)较易受噪声干扰,建议设计中加入适当栅极驱动电阻与负压关断保护。应用时须确保散热设计(如加装散热片),避免结温超限(Tj max=175°C)。 (注:Fairchild品牌已整合至onsemi,该型号现由onsemi持续供货并提供兼容设计支持。)