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- 型号： HUF75925D3ST
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF75925D3ST由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF75925D3ST价格参考。Fairchild SemiconductorHUF75925D3ST封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUF75925D3ST参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUF75925D3ST 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF75925D3ST 是 Fairchild Semiconductor（现属ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB封装，具备低导通电阻（Rds(on)典型值仅12mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=75A连续，脉冲达260A）及快速开关特性。其典型应用场景包括： 1. DC-DC转换器：作为同步整流或主开关管，用于服务器电源、通信设备和工业电源中的降压（Buck）拓扑，提升效率与功率密度； 2. 电机驱动：适用于中小功率直流电机或步进电机的H桥驱动电路，支持高频PWM调速； 3. 电源管理模块：在热插拔（Hot-swap）、电子保险丝（eFuse）及负载开关中实现快速过流保护与低损耗通断控制； 4. 逆变器与UPS系统：用于单相逆变输出级，配合续流二极管完成能量回馈； 5. LED照明驱动：在高功率LED恒流驱动电路中作主控开关，满足高效率与散热要求。 该器件内置ESD保护，雪崩耐量强（EAS=520mJ），适合对可靠性与鲁棒性要求较高的工业环境。需注意合理设计PCB布局、散热片及驱动电路（推荐10–15V栅极驱动电压），以充分发挥其性能并确保长期稳定运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 11A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUF75925D3ST |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1030pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 78nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 275 毫欧 @ 11A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 100W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A （Tc） |
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