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- 型号： HUF75831SK8T
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF75831SK8T由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF75831SK8T价格参考。Fairchild SemiconductorHUF75831SK8T封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUF75831SK8T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUF75831SK8T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF75831SK8T 是安森美（onsemi）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263（D²PAK）表面贴装封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅约9.5 mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=75A，脉冲可达240A）及优良的开关性能。其典型应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备和工业电源中的同步整流Buck/Boost转换器，提升效率并降低温升； - 电机驱动：适用于中小功率无刷直流（BLDC）电机控制器、电动工具及风扇驱动电路，支持高频PWM调速； - 负载开关与电源管理：在主板、显卡或嵌入式系统中用作高效热插拔/电源排序开关，具备快速关断与过流保护兼容性； - 逆变器与UPS系统：作为单相逆变桥臂开关器件，配合驱动IC实现AC输出； - 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101可靠性标准（注：需确认具体批次是否为车规版），可用于车身控制模块、LED车灯驱动等非安全关键场景。 该器件具备雪崩耐受能力、低栅极电荷（Qg≈120 nC），利于高频高效工作，但设计时需注意PCB散热布局与驱动电压（推荐10–15V驱动以确保充分饱和）。不适用于线性稳压或高频射频应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 3A 8-SOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUF75831SK8T |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1175pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 95 毫欧 @ 3A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A （Ta） |
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