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- 型号： HUF75829D3
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF75829D3由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF75829D3价格参考。Fairchild SemiconductorHUF75829D3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUF75829D3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUF75829D3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF75829D3 是安森美（onsemi）出品的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-247封装，具有低导通电阻（Rds(on) ≈ 10.5 mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=75A）及优良的开关特性。其典型应用场景包括： - 开关电源（SMPS）：用作主开关管或同步整流管，适用于AC-DC适配器、服务器/通信电源等中高功率场合； - DC-DC转换器：在降压（Buck）、升压（Boost）或半桥拓扑中承担高频开关功能，提升效率与功率密度； - 电机驱动：用于中小功率直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动电路，支持PWM调速与能量回馈； - 逆变器与UPS系统：作为DC-AC逆变桥臂开关元件，适用于不间断电源、太阳能微逆变器等； - 工业控制与电源管理模块：如热插拔保护、电子保险丝、负载开关等需快速响应与低损耗的场景。 该器件具备雪崩额定能力、良好的dv/dt抗扰性及100% UIS（非钳位感性开关）测试，适合对可靠性与鲁棒性要求较高的工业环境。注意设计时需合理匹配栅极驱动（推荐Vgs=10–15V）、优化PCB布局以降低寄生电感，并配备适当散热措施（如加装散热器）以确保长期稳定运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 18A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUF75829D3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1080pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 70nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 110 毫欧 @ 18A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 1,800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18A （Tc） |
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