Datasheet下载- 型号： HUF75637P3
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF75637P3由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF75637P3价格参考。Fairchild SemiconductorHUF75637P3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUF75637P3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUF75637P3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF75637P3 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值为0.018Ω @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=75A）和优良的开关特性。其典型应用场景包括： - 开关电源（SMPS）：常用于AC-DC适配器、PC电源、服务器电源等的同步整流或主开关管，提升转换效率； - DC-DC转换器：在Buck、Boost及半桥拓扑中用作高侧/低侧开关，适用于工业电源模块与通信设备供电系统； - 电机驱动：适用于中小功率直流电机、步进电机的H桥驱动电路，支持PWM调速控制； - 负载开关与电源管理：在嵌入式系统、工控板卡中实现板级电源的通断控制、热插拔保护及浪涌电流抑制； - 逆变器与UPS系统：作为DC-AC变换环节的功率开关器件，适用于中小功率不间断电源及太阳能微逆变器。 该器件具备雪崩耐量（UIS rated），具备一定抗过压/过载能力；同时支持10V标准逻辑电平驱动，兼容主流栅极驱动IC。需注意合理设计驱动电路与散热措施（如加装散热片），以确保高温下长期可靠运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 44A TO-220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUF75637P3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 108nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 30 毫欧 @ 44A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 155W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 400 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 44A （Tc） |
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