Datasheet下载- 型号： HUF75337P3
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF75337P3由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF75337P3价格参考。Fairchild SemiconductorHUF75337P3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUF75337P3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUF75337P3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF75337P3 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值为0.008Ω @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=75A）和优异的开关性能。其主要应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流、降压（Buck）转换器等，提升效率并降低温升； 2. 电机驱动：适用于中小功率直流电机、步进电机的H桥或半桥驱动电路，支持高频PWM调速； 3. 电池管理系统（BMS）：用作充放电保护开关或负载开关，凭借低Rds(on)减小功耗与发热； 4. LED照明驱动：在大功率LED恒流驱动或调光电路中作为主开关器件； 5. 逆变器与UPS系统：在离线式不间断电源或小型光伏逆变器中承担功率开关功能。 该器件具备雪崩耐量（UIS rated）、良好的热稳定性及100%经过UIS测试，适合高可靠性要求的工业与汽车后装应用（非AEC-Q101认证，故不推荐用于前装车规主系统）。需注意合理设计栅极驱动（避免振荡）、散热（建议配合适当散热器）及SOA（安全工作区）限制，以确保长期稳定运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUF75337P3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1775pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 109nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14 毫欧 @ 75A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 175W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 400 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Tc） |
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