Datasheet下载- 型号： HUF75332S3ST
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF75332S3ST由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF75332S3ST价格参考。Fairchild SemiconductorHUF75332S3ST封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUF75332S3ST参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUF75332S3ST 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF75332S3ST 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅14 mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=75A）及优良的开关特性。其典型应用场景包括： - 开关电源（SMPS）：用作主开关管或同步整流管，适用于AC-DC适配器、PC电源、服务器电源等，提升效率并降低温升； - DC-DC转换器：在降压（Buck）、升压（Boost）或升降压电路中承担高频开关功能，尤其适合大电流输出需求； - 电机驱动：用于中小功率直流电机、步进电机的H桥驱动或PWM调速控制，支持快速开关与过流保护； - 电池管理系统（BMS）：作为充放电保护开关或负载开关，利用其低Rds(on)减小功耗，延长续航； - 工业控制与照明：如LED恒流驱动、固态继电器（SSR）、PLC输出模块等需高可靠性、耐脉冲电流的场合。 该器件具备雪崩额定能力（UIS），具备一定抗瞬态过压能力；其逻辑电平兼容性（Vgs(th) 2–4V）也支持直接由MCU/驱动IC驱动（需注意栅极驱动电流匹配）。实际应用中建议配合合理散热设计与栅极驱动电路，以确保长期稳定运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUF75332S3ST |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 85nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 19 毫欧 @ 60A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 145W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A （Tc） |
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