Datasheet下载- 型号： HUF75309P3
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF75309P3由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF75309P3价格参考。Fairchild SemiconductorHUF75309P3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUF75309P3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUF75309P3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF75309P3 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-220AB 封装，具备低导通电阻（Rds(on) 典型值 0.008Ω @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=75A）和优良的雪崩耐量。其典型应用场景包括： ✅ DC-DC 电源转换：广泛用于开关电源（如服务器、通信设备中的同步整流BUCK电路），利用其低Rds(on)提升效率、降低温升； ✅ 电机驱动：适用于中小功率直流电机、步进电机的H桥驱动或PWM调速模块，支持高频开关（f ≤ 100kHz）； ✅ 电池管理系统（BMS）：用作充放电主回路保护开关或电池均衡开关，得益于其强鲁棒性和内置ESD保护； ✅ 工业控制与电源模块：如PLC输出驱动、LED恒流驱动、逆变器辅助开关等中高功率开关场合； ✅ 汽车电子（非AEC-Q认证版本需谨慎）：可用于车载充电器（OBC）辅助电源、风扇控制等非安全关键系统（注意：HUF75309P3为标准工业级，非AEC-Q101认证，车规应用需选用对应车规型号）。 该器件支持逻辑电平驱动（Vgs(th) 2–4V），兼容微控制器直接驱动，但大电流下建议加栅极驱动IC以优化开关速度与EMI。使用时需注意散热设计（TO-220需配合适当散热器）及PCB布局以抑制寄生振荡。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 19A TO-220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUF75309P3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 70 毫欧 @ 19A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 55W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 400 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 19A （Tc） |
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