【未分类_HUF75307T3ST136】封装/厂家_HUF75307T3ST136中文资料_价格

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型号： HUF75307T3ST136
制造商： Harris
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HUF75307T3ST136由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF75307T3ST136价格参考。HarrisHUF75307T3ST136封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HUF75307T3ST136参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUF75307T3ST136 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HUF75307T3ST136 是安森美（onsemi）推出的双N沟道增强型MOSFET阵列（采用SO-8封装），具有低导通电阻（Rds(on)典型值约9.5mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=42A，脉冲可达160A）及快速开关特性。其典型应用场景包括：

1. DC-DC电源转换：广泛用于同步整流BUCK/BOOST转换器、多相VRM（如CPU/GPU供电模块），提升效率并减小发热；  
2. 电机驱动：适用于中小功率有刷直流电机或步进电机的H桥驱动电路，双MOSFET结构便于紧凑设计；  
3. 负载开关与电源管理：在笔记本电脑、服务器主板、工业控制板中用作高效、低延迟的电源轨切换或热插拔保护；  
4. LED驱动与背光控制：支持PWM调光，满足高频率、低损耗开关需求；  
5. 电池管理系统（BMS）：用于充放电路径控制、电池保护电路中的双向开关。

该器件具备雪崩耐量、ESD防护及符合AEC-Q101（部分版本）等可靠性标准，适合对效率、空间和鲁棒性要求较高的中高功率电子系统。注意实际应用中需合理设计PCB散热、栅极驱动（避免振荡）及SOA（安全工作区）裕量。

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