Datasheet下载- 型号： HUF75307T3ST
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF75307T3ST由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF75307T3ST价格参考。Fairchild SemiconductorHUF75307T3ST封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUF75307T3ST参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUF75307T3ST 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF75307T3ST 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅12mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=75A）和优良的开关特性。其主要应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK/BOOST转换器，提升效率并降低温升； - 电机驱动：适用于中小功率直流电机、步进电机的H桥驱动电路，支持高频PWM调速； - 负载开关与电源管理：在板级电源分配中作热插拔保护、电子保险丝或主电源通断控制； - 逆变器与UPS系统：作为输出级功率开关，配合IGBT或其它MOSFET构成半桥/全桥拓扑； - LED照明驱动：用于大功率LED恒流驱动电路中的开关管，实现高效调光与过流保护。 该器件具备雪崩耐受能力（UIS额定值），增强了系统鲁棒性；其优化的栅极电荷（Qg≈120nC）兼顾开关速度与驱动损耗，适合中高频（≤100kHz）应用。需注意合理设计PCB布局、散热（建议加装散热片）及栅极驱动（推荐10–15V驱动电压以确保充分导通）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUF75307T3ST |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 250pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 90 毫欧 @ 2.6A，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-223-3 |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.6A （Ta） |
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