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- 型号： HSG1002VE-TL-E
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HSG1002VE-TL-E由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HSG1002VE-TL-E价格参考。RENESAS ELECTRONICSHSG1002VE-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HSG1002VE-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HSG1002VE-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HSG1002VE-TL-E 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的高性能射频双极结型晶体管（RF BJT），专为高频、高增益、低噪声应用优化。其典型工作频率达4 GHz，适用于UHF至S波段射频前端。 主要应用场景包括： • 无线通信设备：如4G LTE和5G Sub-6 GHz基站的驱动级放大器、功率放大器（PA）前级或低噪声放大器（LNA）； • 工业与物联网（IoT）射频模块：用于智能电表、无线传感器节点等需高效率、小尺寸射频收发的场合； • 汽车电子：车载V2X（车路协同）通信模块、远程信息处理（Telematics）系统的射频收发链路； • 测试与测量仪器：便携式频谱分析仪、信号发生器中的中频/射频增益级； • 消费类无线产品：高端Wi-Fi 6/6E路由器、毫米波回传设备的射频前端辅助放大电路。 该器件采用小型表面贴装封装（SOT-363），具备优良的增益（fT ≈ 10 GHz）、低噪声系数（NF ≈ 1.8 dB @ 900 MHz）及良好线性度，支持电池供电设备所需的低电压（VCE = 3–5 V）、中等功率（Pout ≈ 100–200 mW）运行。其“-TL-E”后缀表明为符合AEC-Q200标准的工业级/车规兼容版本，具备更高可靠性与温度稳定性（-40°C 至 +125°C）。 综上，HSG1002VE-TL-E 适用于对性能、尺寸与可靠性均有要求的中功率射频放大场景，尤其适合集成度高、成本敏感且需兼顾多标准兼容性的现代无线系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC AMP HBT SIGE 38GHZ MFPAK-4 |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | HSG1002VE-TL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 5mA，2V |
| 供应商器件封装 | 4-MFPAK |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz |
| 增益 | 8dB ~ 19.5dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 4-SMD，鸥翼型 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 3.5V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 35mA |
| 频率-跃迁 | 38GHz |
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