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  • 型号: HN58C256AT10E
  • 制造商: RENESAS ELECTRONICS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供HN58C256AT10E由RENESAS ELECTRONICS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HN58C256AT10E价格参考。RENESAS ELECTRONICSHN58C256AT10E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HN58C256AT10E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HN58C256AT10E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HN58C256AT10E 是一款由 Hitachi(日立)推出的 32K × 8 位(256Kbit)CMOS 静态RAM(SRAM),非“-”品牌(该处“品牌为-”应为信息缺失或误填;实际制造商为Hitachi,后被瑞萨电子Renesas整合)。其典型参数包括:10ns访问时间、5V单电源供电、工业级工作温度范围(–40°C 至 +85°C)、DIP-28或SOJ-28封装。

主要应用场景包括:  
1. 工业控制设备:用于PLC、人机界面(HMI)、数据采集模块等需高速、可靠、抗干扰临时数据缓存的场景;  
2. 通信设备:早期程控交换机、网络接口卡(NIC)、协议转换器中用作帧缓冲或寄存器堆扩展;  
3. 嵌入式系统:在无内置大容量RAM的8/16位微控制器(如8051、Z80、68HC11等)系统中,作为外部高速数据存储器,支持实时数据处理与中断响应;  
4. 仪器仪表:数字示波器、逻辑分析仪等需快速读写采样数据的便携式测试设备;  
5. 军事与航空航天(特定批次):部分高可靠性版本用于对温度适应性、抗辐射稳定性有要求的加固型系统。

注:该型号已停产多年,属经典老器件,当前多见于设备维护、备件替换或复古计算项目。现代设计中已被更低功耗、更高密度的异步/同步SRAM或片上RAM替代。
产品参数 图文手册 常见问题
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