Datasheet下载- 型号： HN1B01FDW1T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HN1B01FDW1T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HN1B01FDW1T1价格参考。ON SemiconductorHN1B01FDW1T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HN1B01FDW1T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HN1B01FDW1T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HN1B01FDW1T1 是安森美（ON Semiconductor）推出的双极型晶体管阵列，采用SOT-363（SC-70-6）封装，内置两个独立的NPN硅晶体管，具有匹配特性、低饱和压降（VCE(sat)典型值0.15V @ IC=50mA）和高直流电流增益（hFE：120–470），适合低功耗、小尺寸应用。 其典型应用场景包括： ✅ 数字逻辑电平转换与接口驱动：如微控制器GPIO扩展，驱动LED、小型继电器或逻辑门输入； ✅ 信号开关与多路复用：在便携式设备中实现低电压（1.8V–5V系统）信号的通断控制； ✅ 电源管理辅助电路：用于LDO使能控制、负载开关或电池供电设备的电源路径管理； ✅ 消费类电子：智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的传感器信号调理、背光/指示灯驱动； ✅ 工业与汽车电子（AEC-Q101认证版本需确认具体料号，标准版适用于非严苛环境）：如打印机、POS终端中的小功率负载切换。 该器件支持无铅回流焊，具备良好热稳定性与ESD防护（HBM ≥2kV），设计上兼顾高速响应（fT ≈ 250MHz）与低静态功耗，特别适合空间受限、需双通道集成的嵌入式系统。注意实际选型时应核对数据手册中“DW1T1”后缀对应的具体温度范围与可靠性等级。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 50V 200MA SC74 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HN1B01FDW1T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 10mA，100mA / 300mV @ 10mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 2mA，6V |
| 供应商器件封装 | SC-74 |
| 其它名称 | HN1B01FDW1T1OS |
| 功率-最大值 | 380mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 200mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 2µA |
| 频率-跃迁 | - |
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