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  • 型号: HN1A01FU-Y(T5L,F,T)
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供HN1A01FU-Y(T5L,F,T)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HN1A01FU-Y(T5L,F,T)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.HN1A01FU-Y(T5L,F,T)封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HN1A01FU-Y(T5L,F,T)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HN1A01FU-Y(T5L,F,T) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR PNP US6-PLN

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN1A01FU

产品图片

产品型号

HN1A01FU-Y(T5L,F,T)

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 10mA,100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

120 @ 2mA,6V

供应商器件封装

US6

其它名称

HN1A01FU-Y(T5LFT)CT

功率-最大值

200mW

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

晶体管类型

2 PNP(双)

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

150mA

电流-集电极截止(最大值)

100nA(ICBO)

频率-跃迁

80MHz

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