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- 型号： HIP6601CB
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HIP6601CB由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HIP6601CB价格参考。HarrisHIP6601CB封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HIP6601CB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HIP6601CB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HIP6601CB 是 Intersil（现属瑞萨电子）推出的双通道、高速、高侧/低侧MOSFET栅极驱动器，专为同步降压（Buck）DC-DC转换器设计。其典型应用场景包括： - CPU核心供电（VRM/VRD）：广泛用于台式机、服务器及工作站主板的电压调节模块，为Intel Pentium III/IV、AMD Athlon等早期高性能处理器提供动态、高精度的多相供电支持； - 多相并联DC-DC变换器：配合PWM控制器（如HIP6301/6302），驱动多路功率级，实现大电流（可达100A以上）、低电压（0.9–1.8V）、高效率电源设计； - 高频开关电源系统：支持高达1MHz开关频率，适用于对瞬态响应和能效要求严苛的通信设备、网络设备及工业控制电源； - 笔记本电脑与嵌入式系统电源管理：在空间受限但需高集成度的场景中，提供紧凑、可靠的栅极驱动方案。 该芯片具备独立的高侧/低侧驱动输出、欠压锁定（UVLO）、交叉导通抑制、快速传播延迟（典型25ns）及耐高压（自举电压达120V）等特性，确保MOSFET安全高效换向，提升系统整体可靠性与效率。
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