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  • 型号: HIP6601BECB-T
  • 制造商: Intersil
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供HIP6601BECB-T由Intersil设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HIP6601BECB-T价格参考。IntersilHIP6601BECB-T封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HIP6601BECB-T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HIP6601BECB-T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Renesas Electronics America Inc.的HIP6601BECB-T是一款PMIC(电源管理集成电路)中的栅极驱动器,主要用于驱动功率MOSFET或IGBT等功率器件。它属于高性能、双通道、高速栅极驱动器,适用于需要高效、高频率开关控制的电源系统。

该器件的典型应用场景包括:

1. DC-DC转换器:用于通信设备、服务器和工业设备中的高效电源转换系统,如POL(Point of Load)转换器。

2. 同步整流器:在高效率电源适配器或电源模块中驱动同步整流MOSFET,以提高转换效率。

3. 电机驱动器:用于工业自动化设备中的电机控制电路,提供快速、可靠的栅极驱动信号。

4. 电池管理系统(BMS):在高功率电池组中驱动保护电路中的MOSFET,实现快速通断控制。

5. UPS(不间断电源)和逆变器:用于驱动逆变桥式电路中的功率开关器件,实现高效的交直流转换。

HIP6601BECB-T具备高驱动能力、宽工作电压范围和低传输延迟等特点,适合高频开关应用,同时具备较强的抗干扰能力,适用于各种高性能电源管理系统。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)

描述

IC DRVR MOSFET SYNC BUCK 8EPSOIC

产品分类

PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关

品牌

Intersil

数据手册

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产品图片

产品型号

HIP6601BECB-T

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

8-SOIC-EP

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸焊盘

工作温度

0°C ~ 85°C

延迟时间

-

标准包装

2,500

电压-电源

10.8 V ~ 13.2 V

电流-峰值

400mA

输入类型

PWM

输出数

2

配置

高端和低端,同步

配置数

1

高压侧电压-最大值(自举)

15V

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