图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供HIP2106IB由Intersil设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HIP2106IB价格参考。IntersilHIP2106IB封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HIP2106IB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HIP2106IB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HIP2106IB 是瑞萨电子(Renesas Electronics America Inc.)推出的双通道高速MOSFET栅极驱动器,专为高效、高频率功率转换设计。其典型应用场景包括: - 同步降压(Buck)转换器:常用于CPU/GPU供电的多相VRM(电压调节模块),驱动上、下桥臂N沟道MOSFET,支持高达100V/ns的dV/dt抗扰能力,确保开关可靠性。 - 半桥/全桥拓扑电源:适用于DC-DC隔离电源、工业电机驱动、LED驱动及PFC(功率因数校正)前级电路,尤其适合需要独立控制高低侧且需防直通(shoot-through)保护的场合。 - 高频开关应用:凭借40ns典型传播延迟、20ns最小脉宽支持及2A峰值拉/灌电流能力,适用于500kHz–2MHz高频开关电源,提升效率并减小磁性元件体积。 - 工业与通信设备:如基站电源、服务器PSU、PLC电源模块等对可靠性、热性能和EMI抑制要求严苛的场景;HIP2106IB内置UVLO(欠压锁定)、输入逻辑兼容3.3V/5V TTL/CMOS,并采用SOIC-8封装,便于布局与散热。 注:该器件不集成自举二极管,需外置自举电路驱动高边MOSFET,适用于需灵活设计、高性能栅极驱动的中高功率(数十瓦至数百瓦级)DC-DC系统。