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- 型号： HIP2101EIB
- 制造商： Intersil
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HIP2101EIB由Intersil设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HIP2101EIB价格参考。IntersilHIP2101EIB封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HIP2101EIB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HIP2101EIB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HIP2101EIB 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的高性能双通道高速MOSFET栅极驱动器，属于PMIC - 栅极驱动器类别。其典型应用场景包括： - 同步降压（Buck）转换器：驱动高边（N沟道MOSFET，需自举供电）和低边MOSFET，适用于DC/DC电源模块、CPU/GPU核心供电（VRM）、通信设备电源等。 - 半桥/全桥拓扑：支持高频开关（高达100 MHz输入边沿速率），广泛用于电机驱动（如BLDC无刷电机的三相逆变器中单相桥臂）、LED驱动、D类音频放大器及工业逆变电源。 - 高效率、高密度电源设计：集成独立的高/低边驱动通道、5V至15V宽电压供电范围、快速传播延迟（典型25 ns）、强驱动能力（±2A峰值电流），适合高频（数百kHz至数MHz）硬开关应用，提升系统效率与功率密度。 - 工业与通信设备：如基站电源、服务器PSU、PLC电源模块、光模块供电等对可靠性、EMI和瞬态响应要求严苛的场景。 该器件具备欠压锁定（UVLO）、交叉导通抑制及热增强型SOIC-8封装（HIP2101EIB为无铅、符合RoHS的工业级版本），适用于-40°C至+125°C工作环境，兼顾性能与鲁棒性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC DRVR HALF BRDG 100V 8EP-SOIC |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 |
| 品牌 | Intersil |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HIP2101EIB |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC-EP |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸焊盘 |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 延迟时间 | 25ns |
| 标准包装 | 98 |
| 电压-电源 | 9 V ~ 14 V |
| 电流-峰值 | 2A |
| 输入类型 | PWM |
| 输出数 | 2 |
| 配置 | 半桥 |
| 配置数 | 1 |
| 高压侧电压-最大值（自举） | 100V |
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