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- 型号： HIP2100IR4ZT
- 制造商： Intersil
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HIP2100IR4ZT由Intersil设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HIP2100IR4ZT价格参考。IntersilHIP2100IR4ZT封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HIP2100IR4ZT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HIP2100IR4ZT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HIP2100IR4ZT 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的高性能双通道高速MOSFET栅极驱动器，专为高效、高频率功率转换设计。其典型应用场景包括： - 同步降压（Buck）转换器：常用于CPU/GPU供电（VRM）、DC/DC模块及通信电源中，驱动上下桥臂N沟道MOSFET，支持高达100V/ns的dV/dt抗扰能力，确保开关可靠性。 - 半桥/全桥拓扑电源：适用于电机驱动、LED驱动、工业变频器及D类音频放大器等，提供独立的高边与低边驱动通道（各可源/吸峰值电流达2A），支持自举供电方式。 - 高频开关应用：得益于纳秒级传播延迟匹配（<5ns）和快速上升/下降时间（典型值15ns），适用于MHz级GaN或SiC器件驱动（需配合合适电平移位与隔离方案）。 - 工业与汽车电子：符合AEC-Q100 Grade 2（–40°C 至 +105°C）温度等级（注：HIP2100IR4ZT为工业级，具体车规版本需确认型号后缀），可用于车载DC/DC、电池管理系统（BMS）辅助电源等。 该器件集成欠压锁定（UVLO）、交叉导通抑制及热关断保护，提升系统鲁棒性。封装为SOIC-8（带增强爬电距离），便于PCB布局与EMI控制。需注意：高边驱动依赖自举电路，设计时须确保足够死区时间与自举电容选型。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC DRIVER HALF BRIDGE 100V 12DFN |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 |
| 品牌 | Intersil |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HIP2100IR4ZT |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 12-DFN（4x4） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 12-VFDFN 裸露焊盘 |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 延迟时间 | 20ns |
| 标准包装 | 6,000 |
| 电压-电源 | 9 V ~ 14 V |
| 电流-峰值 | 2A |
| 输入类型 | PWM |
| 输出数 | 2 |
| 配置 | 半桥 |
| 配置数 | 1 |
| 高压侧电压-最大值（自举） | 114V |
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